Nasledujúci príspevok vysvetľuje hlavné vlastnosti mosfetu IRF3205, ktorý je v zásade dimenzovaný na odtokový prúd pri masívnych 110 A a napätie v rozsahu až 55 V, ideálne vhodné pre aplikácie s invertorom, riadením motora, chopperom a prevodníkom.

Hlavné rysy

Špičkové N-kanály HEXFET® Power MOSFET od IRF3205 od International Rectifier implementujú hi-tech riešenia spracovania pre dosiahnutie neuveriteľne minimálnej odolnosti na kremíkový priestor.

Táto výhoda spolu s rýchlou konverznou rýchlosťou a robustným usporiadaním systému, pre ktoré sú výkonové MOSFETy HEXFET populárne, ponúka vývojárom mimoriadne nákladovo efektívny a spoľahlivý produkt, ktorý sa dá použiť v mnohých programoch.

Zväzok TO-220 je globálne uprednostňovaný pre väčšinu komerčno-priemyselných účelov vo fázach rozptylu energie na približne 50 wattov. Minimálny tepelný odpor a znížená cena paketu modelu TO-220 zohrávajú úlohu pri jeho rozsiahlom uznaní na celom trhu.

Technické špecifikácie

Jeho technickým špecifikáciám je možné porozumieť nasledujúcimi údajmi:

“snímač prietoku vody s Hallovým efektom ”

Trvalý odtokový prúd, VGS @ 10V = 110 A
Pulzný odtokový prúd = 390 A
Pri 25 ° C Strata výkonu = 200 W.
Faktor lineárneho znižovania výkonu = 1,3 W / ° C
Napätie od zdroja k zdroju = ± 20 V.
Lavínový prúd = 62 A
Opakovaná lavínová energia = 20 mJdv / dt
Špičková obnova diódy dv / dt = 5,0 V / ns
Prevádzková teplota a teplota spájkovania po dobu 10 sekúnd = 300 (1,6 mm od puzdra) ° C Môžete sa obrátiť na pôvodný údajový list pre viac info

Podrobnosti o zapojení

Podrobnosti o zapojení mosfetu IRF3205 sú uvedené na nasledujúcom obrázku:

Držte zariadenie rovno s potlačou smerom k vám, ľavý bočný kolík bude bránou, stred bude odtokom, zatiaľ čo pravý bočný vývod bude zdrojom mosfetu.

Typická aplikácia

Výroba jednoduchého invertora s výkonom 500 až 5 000 W pomocou mosfetu IRF3205.

Päťdesiatwattový invertor, o ktorom som hovoril v jednom z mojich predchádzajúcich príspevkov, sa dá ľahko zmeniť na obrovský 500-wattový invertor jednoduchou výmenou svojich MOSFETov za vyššie uvedený typ.